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DPC817、DP817、PC817系列设备均由红外发光二极管组成，与光电晶体管探测器进行光学耦合。
它们封装在一个4针DIP封装中，具有宽引线间距（SMD可选）。
• 电流传输比 (CTR: 50~600% at IF =5mA,VCE =5V)
• 输入和输出之间的高隔离电压 (Viso=5000 Vrms )
• 符合RoHS环保标准
• 可编程控制器
• 系统设备、测量仪器
• 充电器，家用电器电源等
• 不同电位和阻抗电路之间的信号传输
| Product | DataSheet | Package | Function | Dimension (mm) | IF [mA] | BVCEO (Min) (V) | VCE(SAT) (Max) (V) | CTR (%) | tr (uS) | tf (uS) | Topr (Min)(degC) | Topr (Max)(degC) | Viso (Vrms) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 DPC817 | DIP4 | Photo Transistor | 6.5x4.58x3.5 | 5 | 80 | 0.2 | 50~600 | 4 | 3 | -55 | 110 | 5000 | |
| DP817 | DIP4 | Photo Transistor | 6.5x4.58x3.5 | 5 | 80 | 0.2 | 50~600 | 6 | 8 | -55 | 110 | 5000 | |
| PC817 | DIP4 | Photo Transistor | 6.5x4.58x3.5 | 5 | 350 | 0.4 | 50~600 | 4 | 5 | -55 | 100 | 5000 | |
 DPC817S | DIP4 | Photo Transistor | 6.5x4.58x3.5 | 0.5 | 70 | 0.2 | 100~350 | 6 | 8 | -30 | 100 | 5000 | |
 DP817S | DIP4 | Photo Transistor | 6.5x4.58x3.5 | 0.1 | 80 | 0.3 | 50~600 | 8 | 12 | -55 | 110 | 5000 | |
| PC817S | DIP4 | Photo Transistor | 6.5x4.58x3.5 | 5 | 80 | 0.3 | 50~600 | 6 | 8 | -55 | 125 | 5000 |
